반응형 반도체 인터커넥션 기술1 [어드밴스드 패키징] 차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV 본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교 HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 1. 어드밴스드 패키징과 본딩 기술 기존 반도체 기술 트렌드는 무어의 법칙에 따라 칩 내 회로의 선폭을 계속 줄여나가는 미세화의 싸움이었습니다.선폭이 미세화되면 동일 웨이퍼 면적당 생산 가능한 칩 개수가 크게 증가해 규모의 경제를 이룰 수 있고, 트렌지스터의 채널간 길이가 줄어들면서 정보 전달 속도가 증가하고, 저전력 구동이 가능해지기 때문입니다.그러나 반도체 선폭이 10 나노미터 대의 시대에 접어들면서 물리적인 한계에 도달했고, 공정난이도 .. 2024. 5. 15. 이전 1 다음 반응형
