본문 바로가기
반응형

산업 및 기업 분석/반도체·디스플레이5

[HBM 파헤치기기] HBM 제조 공정 기술 분석 : ③ 핵심은 발열과 웨이퍼 와피지 컨트롤 HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교   1. AI, 발열을 잡는 것이 중요   데이터센터는 높은 안전성과 데이터 신뢰성이 요구되며, 운영 비용의 90% 비중을 차지하는 막대한 전력 비용을 감축하는 것이 중요합니다.특히 AI로 인해 데이터센터 내 GPU 사용량이 많아지고, 그에 따른 전력밀도가 높아지면서 자연스럽게 열 방출량이 높아지게 됩니다.현재 데이터센터 전력 사용량 중 약 40%가 .. 2024. 6. 7.
[HBM 파헤치기] HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주 HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교   1. HBM 본딩 및 적층 기술 이전 포스팅 (HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV 기술과 마이크로범프) 에서 HBM에 수직으로 구멍을 뚫어 상하 메모리 칩과의 도선을 연결하는 TSV 공정과 각 칩과의 TSV를 연결해주는 마이크로 범프 (납땜) 공정에 대해 분석했습니다.이번 포스팅에서는 TSV와 범프 공정이 끝난 여러개의 메모리 Die를 적층한 후 이를 접합하고 칩을 보호해주는 본딩(필링 및 몰딩) 기술에 대해 분석해보겠습니다.    .. 2024. 5. 19.
[어드밴스드 패키징] 차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV 본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교 HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점   1. 어드밴스드 패키징과 본딩 기술 기존 반도체 기술 트렌드는 무어의 법칙에 따라 칩 내 회로의 선폭을 계속 줄여나가는 미세화의 싸움이었습니다.선폭이 미세화되면 동일 웨이퍼 면적당 생산 가능한 칩 개수가 크게 증가해 규모의 경제를 이룰 수 있고, 트렌지스터의 채널간 길이가 줄어들면서 정보 전달 속도가 증가하고, 저전력 구동이 가능해지기 때문입니다.그러나 반도체 선폭이 10 나노미터 대의 시대에 접어들면서 물리적인 한계에 도달했고, 공정난이도 .. 2024. 5. 15.
[HBM 파헤치기] HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술) HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 - AI 반도체의 핵심차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV본딩, 하이브리드 본딩과 와이어본딩, 플립칩본딩 비교HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주   1. HBM 제조 공정 HBM은 완성된 DRAM Die (메모리 칩)을 수직으로 여러개 적층하고, TSV기술을 통해 칩 전면에 1024개의 미세한 전기 통로를 만들어 메모리 칩간의 고속, 대역폭의 신호 전달이 가능하게 한 반도체 칩 입니다.HBM의 제조 공정은 크게 ▲CMOS 셀 제조단계 (FEOL), ▲TSV 공정 단계, ▲금속 배선 공정 단계 (MEOL, BEOL), ▲Front-Side 범핑 공정, ▲웨이퍼 그라인딩(Grin.. 2024. 5. 12.
[HBM 파헤치기] HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 - AI 반도체의 핵심! HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션)HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV 본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교   1. HBM 개요 및 특징   HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)는 이름 그대로 한 번에 많은 양의 데이터를 동시에 전송할 수 있도록 넓은 대역폭을 가진 메모리입니다.최신의 HBM은 DRAM 메모리 여러개를 수직으로 쌓아올린 적층 메모리 형태이며, 따라서 메모리 간 거리가 매우 짧아지고, 단위 면적당 용량이 크게 늘어난 것이 특징입니다.    기존 그래픽 처리용 고대역폭 메모리(D.. 2024. 3. 10.
반응형

티스토리툴바