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산업 및 기업 분석/반도체·디스플레이3

[어드밴스드 패키징] 차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV 본딩, 하이브리드 본딩과 와이어 본딩, 플립칩 본딩 비교 HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 1. 어드밴스드 패키징과 본딩 기술 기존 반도체 기술 트렌드는 무어의 법칙에 따라 칩 내 회로의 선폭을 계속 줄여나가는 미세화의 싸움이었습니다.선폭이 미세화되면 동일 웨이퍼 면적당 생산 가능한 칩 개수가 크게 증가해 규모의 경제를 이룰 수 있고, 트렌지스터의 채널간 길이가 줄어들면서 정보 전달 속도가 증가하고, 저전력 구동이 가능해지기 때문입니다.그러나 반도체 선폭이 10 나노미터 대의 시대에 접어들면서 물리적인 한계에 도달했고, 공정난이도 상승과 초고가의 반도체 장비 등이 필요해지면서 너무 많은 비용이 투입되고, 수율 또한 잡기 어려.. 2024. 5. 15.

[HBM 파헤치기] HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술) HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 - AI 반도체의 핵심차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV본딩, 하이브리드 본딩과 와이어본딩, 플립칩본딩 비교 1. HBM 제조 공정 HBM은 완성된 DRAM Die (메모리 칩)을 수직으로 여러개 적층하고, TSV기술을 통해 칩 전면에 1024개의 미세한 전기 통로를 만들어 메모리 칩간의 고속, 대역폭의 신호 전달이 가능하게 한 반도체 칩 입니다.HBM의 제조 공정은 크게 ▲CMOS 셀 제조단계 (FEOL), ▲TSV 공정 단계, ▲금속 배선 공정 단계 (MEOL, BEOL), ▲Front-Side 범핑 공정, ▲웨이퍼 그라인딩(Grinding, Thining) 공정, ▲Back-Side 범핑 공정, ▲칩을 자르고(Dicing) .. 2024. 5. 12.

[HBM 파헤치기] HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 - AI 반도체의 핵심! HBM 주요 공정 기술 분석 : TSV(실리콘관통전극) 본딩 기술 (차세대 인터커넥션 기술) 1. HBM 개요 및 특징 HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)는 이름 그대로 한 번에 많은 양의 데이터를 동시에 전송할 수 있도록 넓은 대역폭을 가진 메모리입니다.최신의 HBM은 DRAM 메모리 여러개를 수직으로 쌓아올린 적층 메모리 형태이며, 따라서 메모리 간 거리가 매우 짧아지고, 단위 면적당 용량이 크게 늘어난 것이 특징입니다. 기존 그래픽 처리용 고대역폭 메모리(DRAM)로 사용되는 GDDR6(Graphic Double Data Rate DRAM)은 데이터 통로에 해당하는 I/O(Input/Output) Bus가 Wire Bondig 또는 Flip-Chip Bo.. 2024. 3. 10.

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