[HBM 파헤치기] HBM 제조 공정 기술 분석 : ① TSV(실리콘관통전극) 본딩과 마이크로범프 (차세대 인터커넥션 기술)
HBM 메모리 개요 및 필요성, 기존 DRAM 메모리와의 차이점 - AI 반도체의 핵심차세대 인터커넥션 기술과 관련주 - TSV본딩, 하이브리드 본딩과 와이어본딩, 플립칩본딩 비교HBM 제조 공정 기술 분석 : ② MR-MUF와 TC-NCF 본딩 공정 특징, 차이점, 관련주 1. HBM 제조 공정 HBM은 완성된 DRAM Die (메모리 칩)을 수직으로 여러개 적층하고, TSV기술을 통해 칩 전면에 1024개의 미세한 전기 통로를 만들어 메모리 칩간의 고속, 대역폭의 신호 전달이 가능하게 한 반도체 칩 입니다.HBM의 제조 공정은 크게 ▲CMOS 셀 제조단계 (FEOL), ▲TSV 공정 단계, ▲금속 배선 공정 단계 (MEOL, BEOL), ▲Front-Side 범핑 공정, ▲웨이퍼 그라인딩(Grin..
2024. 5. 12.
